可依客戶需求開發各種尺寸運用於特規 PSS／NPSS 製作，同時可執行非平面基板上的黃光微影製程。於 PSS 製程中，具有幾項優點：
- 小線寬 : NPSS，可將現有 PSS 特徵尺寸（Pitch 3 mm）壓縮約3倍的水準，節省 ICP 蝕刻與 GaN buffer layer 磊晶的時間與成本。
- 大面積、無接縫：from 4" to 6"，極佳的光阻微結構尺寸均勻性。
- 不挑片：只要磊晶段能接受，黃光段都能接受；節省 sapphire substrate 的進料成本。
- 高產率： 60 ~ 70 pcs/hr for 4" PSS = 3 倍於 Stepper、50~60 pcs/hr for 6” PSS = N 倍於 Stepper
- 系統簡單穩定、維護成本低、技術人力負擔成本低。
機台妥善率與稼動率遠遠高出 Stepper：95 % vs 80 %（中古的 Stepper）。
